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国際貿易 · 2005/11/25更新: 2026/10/21 · 1 分で読めます

NANDフラッシュメモリデバイスや製品について,調査に関する通知

概要

本文により,米国国際貿易委員会に2005年10月20日に,修正された19 U.S.C.1337号,1930年の関税法の第337条に基づき,韓国のハイニックス半導体株式会社;カリフォルニア州サンホセのハイニクス半導體アメリカ株式会社およびオレゴン州ユージンにあるハイニックス半導体の製造・アメリカ株式会社の代表で苦情が提出されたことを通知する.補充は2005年11月8日提出された.補完として,請求を侵害した理由により,米国の輸入,輸入販売,および特定のNANDフラッシュメモリデバイスと製品を含む同等の理由から米国内で販売された際に第337.条違反を主張している.

情報源の原言語: Federal Register — International Trade Commission原文の発表を開く →

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