テクノロジー · 2026/10/15
原子バックル換え半導体材料自由に利用できる 次世代超高性能トランジスターの実現
ローカル自動翻訳 · 情報源の原言語
基礎科学研究院(IBS)が、選択的原子置換技術を利用して半導体・絶縁体・準金物質を実現するモジュール型トランジスターの製造技術を開発した。
情報源の原言語: Korea Ministry of Science and ICT — Press Releases原文の発表を開く →
テクノロジー · 2026/10/15
ローカル自動翻訳 · 情報源の原言語
基礎科学研究院(IBS)が、選択的原子置換技術を利用して半導体・絶縁体・準金物質を実現するモジュール型トランジスターの製造技術を開発した。
関連インサイト