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国際貿易 · 2010/7/27更新: 2026/10/21 · 1 分で読めます

先進なリトグラフィ技術で製造された特定の半導体製品及び同じ製品を含む製品;調査通知

概要

本文は,米国国際貿易委員会に,2010年6月23日に,修正された19 U.S.C.1337号の1930年の関税法第337条に基づき,ニューメキシコ州アルバクエークのSTC.UNM代表として苦情が提出されたことを通知する.苦情への補充は2010年7月15日に提出された.この苦情は,米国の特許第6,042,998号の特定の請求を侵害した理由により,先進的なリトグラフィ技術で製造された特定の半導体製品およびそれを含む製品を輸入した後,米国内での輸入,輸入販売,および輸入のための販売に基づく第337条の違反を主張する.

情報源の原言語: Federal Register — International Trade Commission原文の発表を開く →

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